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参数目录41756
> SQ3442EV-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP
型号:
SQ3442EV-T1-GE3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SQ3442EV-T1-GE3 PDF
特色产品
SQ Series Power MOSFETs
标准包装
1
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
55 毫欧 @ 4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.6V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
5.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
405pF @ 10V
功率 - 最大
1.7W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-74,SOT-457
供应商设备封装
6-TSOP
包装
标准包装
其它名称
SQ3442EV-T1-GE3DKR
查看SQ3442EV-T1-GE3代理商
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